技术参数
1、名 称：立式双治疗头半导体激光治疗仪
2、激光物质：GaAlAs (镓铝砷)半导体
3、输出波长：主波长808nm±10nm 辅助波长650nm
4、输出模式：连续 或 间歇
5、工作方式：双路输出
6、光斑直径：φ120mm（国际通用小功率半导体激光模块标准）
7、激光器功率：
①输出功率：面照治疗头为：500mw×3（808激光）+5mw×78（650激光），点照治疗头为：（500mw±20%）×1（808激光）
②最大额定功率： 面照射治疗头：1000mw×3+10mw×78，点照治疗头：1000mw×1 连续可调
8、照射面积：面照治疗头 17cm × 25cm
点照治疗头直径 ≥0.5cm
9、激光器数量： 面照治疗头激光管不少于81个
10、输出功率不稳定度st：优于±10%
11、显示方式： 彩色液晶显示屏 中文菜单
12、操 作： 10.4英寸触摸屏直接操作
13、控制系统： 微电脑控制,治疗参数记忆，记忆累计治疗时间
14、电动升降：电动升降 高度0-35cm可调
15、折页角度：治疗头转动角度≤3600
16、定时功能: 1-90分钟 分档可调
17、电 源：200v±22v 50Hz
18、重 量：31.5kg
